我國首臺！芯片制造核心裝備取得重要突破
來源：科技日報 時間：2026-01-19 15:45
記者1月17日從中核集團中國原子能科學(xué)研究院獲悉，由該院自主研制的我國首臺串列型高能氫離子注入機（POWER-750H）成功出束，核心指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平。這標(biāo)志著我國已全面掌握串列型高能氫離子注入機的全鏈路研發(fā)技術(shù)，攻克了功率半導(dǎo)體制造鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，為推動高端制造裝備自主可控、保障產(chǎn)業(yè)鏈安全奠定堅實基礎(chǔ)。
離子注入機與光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設(shè)備并稱為芯片制造“四大核心裝備”，是半導(dǎo)體制造不可或缺的“剛需”設(shè)備。長期以來，我國高能氫離子注入機完全依賴國外進(jìn)口，其研發(fā)難度大、技術(shù)壁壘高，是制約我國關(guān)鍵技術(shù)產(chǎn)業(yè)升級發(fā)展的瓶頸之一。
中國原子能科學(xué)研究院依托在核物理加速器領(lǐng)域數(shù)十年的深厚積累，以串列加速器技術(shù)作為核心手段，破解一系列難題，完全掌握了串列型高能氫離子注入機從底層原理到整機集成的正向設(shè)計能力，打破了國外企業(yè)在該領(lǐng)域的技術(shù)封鎖和長期壟斷，將有力提升我國在功率半導(dǎo)體等關(guān)鍵領(lǐng)域的自主保障能力，更為助力“雙碳”目標(biāo)實現(xiàn)、加快發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力提供強有力技術(shù)支撐。
責(zé)任編輯：江蓬新
